近年來(lái)，加速芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已成為中國(guó)科技企業(yè)當(dāng)下較為重要的議題之一。據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論1月12日?qǐng)?bào)道，中國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商——揚(yáng)子存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)。
報(bào)道指出，揚(yáng)子儲(chǔ)存計(jì)劃于2021年實(shí)現(xiàn)每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量增加一倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的7%。如上述目標(biāo)能夠?qū)崿F(xiàn)，那么將極大對(duì)推動(dòng)我國(guó)建立完整的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。
NAND閃存是所有計(jì)算設(shè)備(從智能手機(jī)和PC到服務(wù)器和互聯(lián)汽車(chē))中使用的內(nèi)存和存儲(chǔ)的關(guān)鍵組件，但是目前全球大多數(shù)產(chǎn)能仍由少數(shù)供應(yīng)商壟斷。
當(dāng)下，三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，晶圓月產(chǎn)能達(dá)48萬(wàn)片;而美國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片制造商美光(Micron)每月可生產(chǎn)約18萬(wàn)片。如果揚(yáng)子儲(chǔ)存能達(dá)到月產(chǎn)10萬(wàn)片的目標(biāo)，也將拉小與這些芯片儲(chǔ)存巨頭的差距。
除了增加芯片產(chǎn)量，揚(yáng)子儲(chǔ)存還加快了技術(shù)開(kāi)發(fā)的步伐，挑戰(zhàn)美日韓芯片巨頭(依次為美光、Kioxia以及三星)在這一技術(shù)領(lǐng)域的壟斷地位。據(jù)知情人透露，揚(yáng)子儲(chǔ)存最早將于今年中旬實(shí)現(xiàn)首批192層3D NAND閃存芯片試產(chǎn)。相比之下，目前上述海外廠商仍在致力于開(kāi)發(fā)176層3D NAND閃存芯片。
而對(duì)于美日韓存儲(chǔ)芯片制造商來(lái)說(shuō)，迅猛發(fā)展的揚(yáng)子存儲(chǔ)無(wú)疑也將成為前者有力的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。據(jù)報(bào)道，隨著揚(yáng)子存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)，國(guó)際存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)將加劇，價(jià)格也很可能受到?jīng)_擊。
標(biāo)簽： 芯片壟斷
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