光刻機中曝光光源決定了光刻工藝加工器件的線寬等特征尺寸，光刻機的精度，決定了芯片的上限。因而，采用了最先進(jìn)的極紫外光源的EUV光刻機，受到了臺積電、三星的爭搶。
這讓全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機的ASML，賺得盆滿缽滿。
2020年業(yè)績創(chuàng)新高
據(jù)1月20日ASML公布的財報顯示，2020年ASML全年銷售額為139.8億歐元，累計交付光刻系統(tǒng)258臺。在銷售額、凈利潤等方面，ASML在2020年的成績，均創(chuàng)下5年來新高。
值得注意的是，ASML的31臺EUV占據(jù)了系統(tǒng)銷售額的43%。計算來看，ASML的31臺EUV光刻機，便賣出了352億元。
ASML的第一次轉(zhuǎn)折
如今的ASML正意氣風(fēng)發(fā)，不再是當(dāng)初那個沒錢、沒技術(shù)、沒關(guān)注，連員工都對未來發(fā)展迷茫的小工廠。
回顧ASML的發(fā)展史，2004年全球首臺浸潤式光刻機的問世，成為了ASML發(fā)展歷史中第一個轉(zhuǎn)折點。而這一切，與一位叫林本堅的臺積電工程師有關(guān)。
林本堅突發(fā)奇想
當(dāng)時，光刻機光源波長卡在了193nm，制約了芯片精度的向前推進(jìn)。
為了打破這一僵局，當(dāng)時以尼康為首的半導(dǎo)體巨頭，希望能基于前代技術(shù)，采用157nm的F2激光，實現(xiàn)更進(jìn)一步。
而EUV LLC聯(lián)盟一派，則希望攻克極紫外技術(shù)，實現(xiàn)十幾納米的光源。但是極紫外技術(shù)的攻克難度十分大。
這時，中國專家林本堅突發(fā)奇想，可以用水改變光的折射率的原理，來縮短光源的波長，這樣一來，193nm的激光可以達(dá)到132nm的波長。
為實現(xiàn)這一想法，林本堅拜訪了多家半導(dǎo)體巨頭，但都被拒絕。畢竟當(dāng)時正是競爭的關(guān)鍵時刻，誰也不敢嘗試這種新方法，耽誤自己的研發(fā)進(jìn)度。
而且，這一方法聽起來容易，卻有許多難點需要攻克，譬如，如何解決水污染?
浸潤式光刻機
不過，本來就沒有什么優(yōu)勢的ASML聽到這一想法后，倒是想要試一試。于是，ASML與臺積電一拍即合，開始了研發(fā)。
2004年，全球首臺浸潤式光刻機便在ASML手中問世，ASML成功搶在了尼康干式157nm光刻機的前面。并且，ASML的光刻機精度更高、性能更強。
由此，IBM、臺積電等都紛紛向ASML拋出了訂單。由此，ASML開始嶄露頭角，市場份額快速增長。
此后，ASML又成功打入EUV LLC聯(lián)盟，而尼康則被拒之門外。在一眾科技巨頭的共同努力下，ASML成功研發(fā)出EUV光刻機，自此奠定了其在光刻機領(lǐng)域難以撼動的地位。
標(biāo)簽： ASML
