回顧中國的近代史并不是那么漂亮，甚至給了所有中國人一個慘痛的教訓。近些年來，中國也一直在完善自己、讓自己變得更加強大，為此中國在各個領域也是十分努力想要做到最好，盡管并沒有樣樣拔尖，但是中國的綜合國力的提升也是有目共睹的。畢竟中國在不少技術領域都起步較晚，當中國在一些行業(yè)迅速發(fā)展時，總會借助其他國家的一些技術來進行合作，但總歸別人的技術，中國也是想要做到真正的獨立自強，所以也從未放棄過研究出獨屬于自己的一些技術。
半導體在如今這個高科技的時代是十分重要的，而在此之前我國的半導體大多都是從國外引進，為此我國也是下了不少功夫。經過了刻苦的鉆研，我國的最大快閃存儲器制造商長江存儲表示預計今年就可以試產第一批192層3D NAND閃存芯片了，而具體時間可能確定在今年的下半年。
近期日媒就報道了這一消息，而這消息一出在國際上就激起了不小的浪花。192層的3D NAND閃存芯片是個什么概念呢?只能舉例表示三星正在研發(fā)的目標是172層的3D NAND 閃存芯片，而美光的目標則是176層。就以這幾個數字來看，長江存儲的技術已經遠遠領先那些巨頭企業(yè)了。雖說其技術是先進了不少，但是卻還是有一些不足之處的，192層3D NAND閃存芯片的良品率與三星等巨頭企業(yè)還是不能比的，其產能也并不高，希望長江存儲在這些方面還要多多努力。
為了研發(fā)屬于自己的、高于現有技術的192層3D NAND閃存芯片，中國也是投進去了1550億的資金，可想而知中國對此有多么重視。近些年來，美國一直在半導體技術上對中國有著壓制，而中美關系也一直處于緊張狀態(tài)，所以要想我國長久且更好地發(fā)展下去就必須將高技術緊緊握在自己手里才安全。如今長江存儲的技術突破簡直是為中國打破外國技術壟斷的一大勝利，這也讓不少國內行業(yè)都松了一口氣，終于不用再看美國的眼色了。
標簽： 1550億
